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ウィスカバスタープロセスは、従来のSn-Pb浴と同等の耐ウィスカ性を備えた新プロセスです。前処理〜純Snめっき〜後処理のトータルプロセスで、安定したウィスカ抑制とはんだ濡れ性を実現します。
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めっき後の加熱処理や下地めっきを施さなくても、耐ウィスカ性が飛躍的に向上します。 |
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現行装置が使用できます。 |
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従来のSn-Pb浴と同等のはんだ濡れ性と後加工性が得られます。 |
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液管理が容易です。 |
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Sn合金めっきに比べコストダウンが図れます。 |
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工程 |
プロセス名 |
目的 |
| 電解脱脂 |
WB-200 |
エッチングの均一化 |
| エッチング |
WB-300 |
加工変質層、酸化膜除去(応力低減) |
| プレディップ |
エバソルダA |
初期析出性の向上 |
| Snめっき |
WB-500、WB-500HD |
結晶粒のコントロール、低応力化 |
| 後処理 |
WB-900 |
めっき皮膜の酸化防止
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｢エレクトロニクス実装技術｣2006年9月号（(株)技術調査会発行）に本プロセスが掲載されましたので
ご紹介します。 |
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電子部品用めっき処理薬品
