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「中性Snめっきプロセス」

チップ電子部品類のめっきは、Pbフリー対策として、はんだめっきからすずめっきへ変更しつつあります。また、特性精度の向上や低コスト化目的のために、焼成温度条件の変更や保護膜材料の一部樹脂化に伴い、部品の耐薬品性の問題から、中性めっき浴へ切り換え検討がなされつつあります。
また一方で、チップ部品サイズは0603サイズが携帯機器の主力となりつつありますが、さらに0402製品が登場し、その極小化に伴い、めっきにおいては、部品どうしのくっつき現象やダミー材の凝集トラブルが顕在化しています。
これらの問題に対応すべく、チップ抵抗に適した中性すずめっきプロセス「エバソルダNTR」および、チップインダクターやチップキャパシターに適した「エバソルダNTI」を開発しました。


エバソルダNTR
実績のあるエバソルダNTプロセスに比較して、バレルめっきにおけるチップどうしがくっつく、いわゆるくっつき現象や、バレル内に投入する微小ダミー材の凝集トラブルが抑制されます。


エバソルダNTI
チップインダクターやチップキャパシターは、その基材材料の特性上、電極部だけでなく基材部にまでめっきが付き回りやすい性質があります。
エバソルダNTIは、いわゆる、このめっきのノビ現象を極力抑制できるプロセスです。





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