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エバソルダＵＴ−55
エバソルダUT-55プロセスは、フッ素フリーの半光沢すずめっき浴で、広い電流密度範囲にわたり、緻密で均一な半光沢の外観が得られます。エバソルダUT-55プロセスからのめっき皮膜は、適度な大きさの結晶粒子で、めっき後の電着応力の経時変化が小さいため、ウィスカーの抑制効果に優れます。そのためICリードフレームの外装めっき等にも適用できます。
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| 1. |
はんだ濡れ性に優れた、均一な半光沢のめっき皮膜が得られます。 |
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| 2. |
めっき後の電着応力の経時変化が少なく、ウィスカーの抑制効果があります。 |
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| 3. |
加熱処理後のはんだ濡れ性の劣化がありません。 |
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| 4. |
めっきの付き回り、均一電着性に優れます。 |
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| 5. |
高電流密度での高速めっきが可能です。 |
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電着応力の経時変化が小さい |
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適度な析出粒径と低い内部応力 |
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粒径（表面SEM写真） |
内部応力（Ｘ線回折/Θ-2Θ法） |
| UT-55 |
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-1±3MPa |
| 従来浴 |
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-23±4MPa |
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有機物の共析量が少ない |
めっき浴 |
C（炭素）共析量 |
S（硫黄）共析量 |
N（窒素）共析量 |
| UT-55（Sn） |
0.0026 |
0.0006 |
0.0006 |
| 従来浴（Sn） |
0.0081 |
0.0019 |
0.0018 |
| HS-805（Sn/Pb） |
0.0029 |
0.0009 |
0.0010 |
| C、S:燃焼赤外線吸収法 N:不活性ガス融解熱伝導度法 |
単位：mass％ |
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電子部品用めっき処理薬品
