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エニオールMプロセス
バンプや基板に使われる無電解Ｎｉ/Ａｕは、良好なはんだ接合特性が要求されます。はんだ接合強度に影響する因子の一つに、無電解Ｎｉ皮膜の腐食性があります。無電解Ｎｉ上の無電解Ａｕめっきは置換析出のため、Ｎｉ皮膜を溶解（腐食）しながら成膜されます。Ｎｉ皮膜が腐食されやすいとはんだ接合強度に悪影響が出やすくなります。新しく開発した無電解Ｎｉプロセス「エニオールM」は、Ｎｉ皮膜の腐食が少ないのが特長で良好なはんだ接合特性が得られます。
ブリッジ防止プロセス「ファインライズ」との併用により、高密度配線板へも安心して使えます。
また、ほう素や鉛などの規制物質を使用していないため、環境にやさしいめっきとなっています。
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| 1. |
腐食が少なく良好なはんだ接合強度が得られる。 |
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鉛やほう素などの規制物質を含まない。 |
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| 3. |
析出速度、りん含有率（約10％）が安定している。 |
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| 4. |
亜硫酸ガステスト耐性が高い。 |
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無電解Niめっき表面SEM写真（Auめっき剥離後） |
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| Niめっき液種 |
Auめっき厚 |
はんだボールシェア |
常温式ボールブル |
| Good mode率 |
ブル強度 |
Good mode率 |
| 汎用プロセス りん7％ |
0.06µm |
80％ |
2977g |
30％ |
| エニオールM りん10％ |
0.06µm |
100％ |
3290g |
100％ |
| はんだボール：Sn/Pb はんだボール径：0.76mm |
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